(再)広帯域バッファのシミュレーション

2013-06-15      
 昨日アップした直前記事の広帯域バッファは、出力のマッチングばかりに気を取られてコレクタ電流を大きくしたため、入力側のインピーダンスが「エミッタ接地」そのものの特性・・・数百Ωの「ロー受け」になってしまって台無し そこで「1石」を諦め、順当に役割分担をさせた「2石」で再考しました。

 何と言っても、あまり気にせずに「ハイ受け」を実現できるのはFETです。これは、「さらに『ひねる』回路」で用いたソースフォロワそのものでよさそう。つまり、昨日考えたバッファにこの「ソーフォロ」(エミフォロって言うのに、こっちの略は聞かないなぁ・・・)を前置すればいいと考え、早速例のシミュレーションをやってみました。



 多くを語る必要も無さそうですね。SG直後の50Ωの抵抗値を振ってみましたが、流石はFET受け・・・出力レベルの変動は少なく、バッファとしてきちんと機能しています。逆に、昨日の広帯域バッファ回路で同じ所の抵抗値を振ってみると、やはりとんでもないことになるのも確認できました。また、個々のトランジスタの消費電流は共に10mA程度ですから、そんなに大食らいでも無さそうです。バイアス等を精査した上でこちらをひとまず「次の実験候補」にしたいと思います。
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アパマンというハンデにさらにQRPまで課し、失敗連続のヘッポコリグや周辺機器の製作・・・趣味というより「荒行」か!?

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